с топологическим размером элемента 130 нм; следующим этапом считается 90 нм. В TSMC убеждены, что со временем на базе разработанных в компании транзисторов удастся изготавливать микросхемы с топологическим размером элемента 13 нм. С уменьшением транзистора увеличивается утечка тока и перегрев микросхемы. В связи с этим специалисты предсказывали достижение физических пределов КМОП уже в ближайшее время. Идея TSMC заключается в снижении утечки за счет добавления второго затвора, что позволяет далее уменьшить транзистор.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями