В компании Motorola созданы прототипы микросхем магнитной оперативной памяти (MRAM) емкостью 256 Кбит и 1 Мбит. Пробные партии микросхем планируется выпустить уже в будущем году, а начать массовое производство — в 2004 году. Магнитная память является энергонезависимой: при отключении питания информация в ней сохраняется, но по сравнению с обладающей тем же свойством флэш-памятью MRAM дешевле в производстве. Как предполагается, вначале MRAM будет применяться вместо флэш-памяти в сотовых телефонах и других устройствах, а впоследствии — и в качестве оперативной памяти компьютеров.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями