TSMC, Philips и STMicroelectronics осваивают новые технологии
Три компании выпустили прототипы микросхем SRAM с нормой проектирования 0,09 мкм на пилотных производственных линиях

Компании Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC), Koninklijke Philips Electronics и STMicroelectronics освоили производство микросхем с нормой проектирования 0,09 мкм (90 нм), что, как предполагается, позволит создавать более быстрые микросхемы, потребляющие меньше энергии. Три компании выпустили прототипы микросхем статической памяти SRAM емкостью 1 Мбит и 4 Мбит на основе 200-миллиметровых кремниевых пластин на пилотных производственных линиях. Такие линии развернуты совместно STMicroelectronics и Philips в г. Кроллес (Франция), а также на опытном производстве Fab 3 компании TSMC, расположенном в г. Хсинху (Тайвань). Выпуск микросхем с проектной нормой 0,09 мкм, как предполагается, начнется во второй половине 2002 года.

Производственный процесс с нормой проектирования 0,09 мкм позволит трем компаниям выпускать микросхемы, которые работают на более высоких скоростях и потребляют меньше энергии, чем микросхемы на базе существующей 0,13-микронной технологии. Как предполагается, норма проектирования 0,09 мкм будет применяться при изготовлении микросхем для широкого круга применений, в том числе телефонных аппаратов для сетей мобильной связи третьего поколения и цифровой бытовой электроники.

В перспективе планируется разработать более совершенные процессы, в том числе с нормой проектирования 0,065 мкм. По-видимому, это произойдет через два года после того, как будет освоен 0,09-микронный процесс.

Однако добиться этой цели будет весьма непросто.

Производители микросхем обеспокоены тем, что разработка 0,65-микронного процесса обойдется слишком дорого, а, кроме того, они не смогут за два года подготовить оборудование, необходимое для производства таких микросхем.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями