Создан самый быстрый в мире транзистор
Корпорация IBM объявила о создании самого быстрого в мире полупроводникового устройства, работающего на тактовой частоте 110 ГГц. Инженеры корпорации продемонстрировали кольцевую микросхему синхронизации на основе нового варианта кремниево-германиевой технологии, получившей название SiGe 8HP. С помощью этой технологии компания разработала и протестировала целый спектр устройств, в том числе высокоскоростную микросхему для оборудования оптических сетей.
Первые микросхемы на базе технологии SiGe 8HP, как предполагается, будут выпущены уже в нынешнем году. Их разрабатывает как сама IBM, так и ее партнеры. Применяться новая разработка будет в компонентах для телекоммуникационного оборудования, например в направляющих лазерах оптических сетей.
Над технологией SiGe IBM работает с 1989 года. Сочетание германия с кремниевой основой в микрокристалле увеличивает проводимость основы. В отличие от микросхем, использующих другие высокоскоростные материалы, такие как арсенид галлия и фосфид индия, полупроводниковые электронные компоненты на основе SiGe могут производиться с помощью стандартного технологического КМОП-процесса.
Следовательно, производители могут модернизировать свои фабрики, не затрачивая значительных средств на новое производственное оборудование.
Созданный в IBM транзистор демонстрирует способность новой технологии поддерживать скорость передачи данных выше 100 Гбит/с. Кроме того, SiGe отличается более низким уровнем энергопотребления. Технология SiGe уже нашла достаточно широкое применение в различных высокоскоростных устройствах для проводной связи и в недорогих беспроводных устройствах.
Кроме того, она обеспечивает более широкие возможности интеграции, что позволяет совместить больше функций на одном кристалле и тем самым получить выигрыш в скорости, энергопотреблении, стоимости и массе.
Как сообщили представители IBM, другие варианты технологии SiGe, получившие название SiGe 5PA и SoGe 5DM, развиваются в расчете на рынок беспроводной связи.
Создание новой технологии упрочивает положение IBM в области кремниево-германиевых микросхем. По данным исследовательской фирмы IC Insights, в 2001 году суммарные продажи продукции SiGe составил 320 млн. долл., а к 2006 году, по прогнозам того же отчета, он достигнет 2,7 млрд. долл.
Также утверждается, что доходы IBM составили более 80% от всего объема рынка SiGe в 2001 году.
BM разработала свой первый вариант технологии SiGe в 1989 году. С тех пор она нашла применение для самых разных целей, в частности, в радиоприемниках и передатчиках сотовых телефонов, в микросхемах для беспроводных локальных сетей, в высокоскоростном испытательном и измерительном оборудовании, в оптических системах передачи данных.