Технология Bumpless Build-Up Layer (BBUL), разработанная инженерами Intel, предполагает, что корпус процессора будет «выстраиваться» вокруг его ядра

Инженеры корпорации Intel разработали новую технологию, которая, как предполагается, позволит во второй половине текущего десятилетия создать процессоры с тактовой частотой 20 ГГц. Технологические усовершенствования коснутся не производства самого кристалла, а его «упаковки».

Речь идет о компоненте, который размещается между процессором и платой и организует взаимодействие между ними.

Технологические усовершенствования коснутся не производства самого кристалла, а его «упаковки», компонента, который размещается между процессором и платой и организует взаимодействие между ними. Intel планирует начать использование технологии, получившей название Bumpless Build-Up Layer (BBUL), в своих коммерческих продуктах в ближайшие пять-шесть лет.

При использовании современных методов производства микросхем «начинка» процессора создается отдельно от корпуса и позже к нему прикрепляется. С помощью технологии BBUL корпус «выстраивается» вокруг кремния, позволяя отказаться от использования припоя, который негативно влияет на функционирование процессора. При этом увеличивается скорость, с которой кремний может взаимодействовать с остальными компонентами на плате.

Слой BBUL не только тоньше и легче существующих корпусов, но и может объединять несколько микросхем в одном и том же корпусе. В частности, серверные процессоры могут состоять из двух ядер, встроенных в один корпус. Это позволит обеспечить более высокую скорость по сравнению с процессорами, размещенными в индивидуальных корпусах.

По словам представителей Intel, существует три фактора, которые влияют на производительность микросхемы. Это скорость транзисторов, фотолитография и упаковка. В июне Intel продемонстрировала транзисторы, работающие с тактовой частотой 1,5 ТГц. Кроме того, корпорация развивает методы литографии в глубоком ультрафиолетовом спектре (EUV — Extreme Ultra-Violet), которая позволит «печатать» до 1 млрд. транзисторов на микросхеме. Новым этапом стала разработка технологии BBUL.