Новые гибридные полупроводники из арсенида галлия и фосфата индия
Технология, разработанная инженерами корпорации Motorola под руководством Джамала Рамдани, предусматривает нанесение на кремниевую подложку тонкого слоя материалов АIII-ВV

Представители корпорации Motorola утверждают, что совершили настоящий прорыв в области полупроводниковых материалов. Технологии Motorola позволят наладить выпуск целого ряда быстрых и недорогих устройств, начиная от мобильных телефонов третьего поколения с функциями обработки потокового видео и заканчивая системами обеспечения безопасности движения автомобилей.

Исследователи из Motorola утверждают, что им впервые удалось предложить технологию производства гибридных полупроводников из привычного кремния и сложных материалов, обозначаемых индексом АIII-ВV (это название обусловлено их расположением в третьей и пятой колонках периодической таблицы химических элементов).

К подобным соединениям относятся арсенид галлия (GaAs) и фосфат индия (InP). Их превосходные электрические и оптические характеристики обеспечивают высокую скорость коммутации и малое потребление электроэнергии, однако практическое их использование весьма ограниченно. В отличие от этого кремний, «рабочая лошадка» полупроводниковой индустрии, стоит достаточно дешево, но имеет некоторые отрицательные черты. В частности, его способность излучать свет весьма ограниченна, а следовательно, затруднена и интеграция кремниевых микросхем в лазерные и волоконно-оптические системы.

Оригинальная технология, разработанная под руководством научного сотрудника Motorola Джамала Рамдани, предусматривает нанесение на кремниевую подложку тонкого слоя материалов АIII-ВV. В результате кремниевые микросхемы приобретают новые свойства, благодаря которым удается сэкономить дополнительное пространство и снизить стоимость изготовления устройств. А ведь именно над решением этих задач инженеры бьются в течение уже многих лет.

Пластины арсенида галлия на кремниевой подложке имеют диаметр до 30 см. Из этих подложек можно изготавливать усилители мощности для мобильных телефонов.

Применение полупроводниковых материалов АIII-ВV на практике должно привести к появлению новой волны дешевых и высокопроизводительных устройств. Возможно, с их помощью удастся построить полностью оптические коммутаторы.

Специалисты с большим энтузиазмом отнеслись к сообщению представителей Motorola.

«Я думаю, что новая технология способна не только полностью изменить производство компонентов из арсенида галлия, но и оказать огромное воздействие на весь рынок полупроводниковых устройств, — заметил аналитик компании Strategy Analytics Стивен Энтвистл. — Пока же нам следует ответить на целый ряд вопросов. Во-первых, будет ли все это работать так, как должно? Да и потом, готов ли рынок принять новую технологию, нужна ли она ему?»

Как отмечает Энтвистл, если технологические новшества действительно являются прорывом, как утверждают представители Motorola, они могут изменить экономическую ситуацию в этой специализированной части рынка, да и во всей полупроводниковой индустрии: «Стоимость арсенида галлия и других составных полупроводников должна снизиться, а это отличный источник оптимизма для разработчиков перспективных устройств».

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями