Samsung начала опытное производство самых быстрых из микросхем памяти типа DDR SDRAM. Ее тактовая частота составляет 300 МГц, емкость — 128 Мбит. Обеспечивается скорость передачи данных 600 Мбит/c и суммарная пропускная способность 2,4 Гбит/c. Массовое производство планируется начать до конца третьего квартала. В первом квартале нынешнего года Samsung, согласно ее данным, принадлежало 50% мирового рынка DDR.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями