Достижение стало возможным благодаря применению кремний-германиевой основы и изменению конструкции самого транзистора. Ток в нем протекает не горизонтально, как в обычных транзисторах, а вертикально, что уменьшает размеры элемента и, соответственно, сокращает расстояние, проходимое током.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями