Новые технологии позволяют выпускать все более компактные устройства

В апреле TSMC представила пробную партию 300-миллиметровых кремниевых подложек, предназначенных для изготовления микросхем по 0,13-микронной технологии

Тайваньская компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC) быстрыми темпами осваивает все более совершенные технологии изготовления полупроводников. Завершено проектирование базовых модулей для организации производства микросхем по технологии 0,10 мкм; это должно обеспечить повышение вычислительной мощности полупроводниковых микросхем по сравнению с использующимися сейчас технологиями. У TSMC уже имеется практически все необходимое для развертывания подобного производства, составлен и график проведения подготовительных работ. Выпуск готовой продукции планируется начать в третьем квартале 2002 года.

Компания намерена использовать 0,10-микронную технологию для создания продукции различного назначения, в том числе сетевое оборудование, сотовые телефоны, а также компоненты для построения персональных беспроводных сетей Bluetooth. Кроме того, новая технология может помочь наладить выпуск так называемых «систем на кристалле». Подобные обладающие высокой степенью интеграции системы отличаются более высокой производительностью и меньшей стоимостью. При этом вся обработка информации, скажем, в интеллектуальном сотовом телефоне выполняется одной микросхемой.

Совершенствование полупроводниковых производств создает условия для выпуска все более и более компактных устройств. В настоящее время ведущие производители осваивают выпуск микросхем с нормой проектирования 0,13 мкм. Следующим этапом должна стать 0,10-микронная технология. Числовая величина здесь служит условной характеристикой минимального расстояния между отдельными элементами разводки на поверхности микросхемы. На каждом очередном витке развития технологий физические размеры микросхем уменьшаются, а их производительность возрастает.

Представитель TSMC Йон Дзенг сообщил, что в настоящее время они совместно с рядом разработчиков интегральных схем пытаются сформулировать требования к организации нового производственного процесса. Поскольку при норме проектирования 0,10 мкм в одну микросхему можно встроить больше функций, владельцы производственных мощностей должны работать в тесном контакте с проектировщиками микросхем. Такое сотрудничество позволяет до минимума сократить время от этапа проектирования до выхода продукции на рынок.

В апреле TSMC представила пробную партию 300-миллиметровых кремниевых подложек, предназначенных для изготовления микросхем по 0,13-микронной технологии с использованием только медных проводников. Использование 300-миллиметровых подложек делает производство микросхем экономически эффективнее по сравнению с 200-миллиметровыми, применяемыми сегодня на большинстве заводов.

Испытания первой партии подложек показали их практическую пригодность для изготовления процессоров. Теперь TSMC намерена провести тестирование ряда продуктов своих заказчиков, выполненных на 300-миллиметровых подложках.

По словам Дзенга, производственные линии компании, рассчитанные на технологии 0,13 и 0,10 мкм, позволяют наладить выпуск различной продукции в зависимости от потребностей конкретного заказчика.


Следующий рубеж

Компания Fujitsu собирается вложить свыше 800 млн. долл. в строительство в Токио опытной производственной линии и центра исследований в области полупроводников. В исследовательском центре будет вестись разработка и опытное производство микросхем по технологии 0,1 мкм и менее; осуществлять массовое производство в центре не планируется. В настоящее время самой совершенной является 0,13-микронная технология. Следующим шагом предположительно станет 0,1-микронная технология, а затем — 0,08-микронная. NEC, конкурент Fujitsu, планирует начать опытное производства пластин по 0,1-микронной технологии в августе.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями