IBM и Infineon готовят выпуск модулей памяти Magnetic RAM

Утверждается, что MRAM сочетает в себе лучшие черты распространенных современных технологий памяти

Компании займутся разработкой памяти MRAM (Magnetic Random Access Memory), которая использует магнитные, а не электрические заряды для представления битов данных. MRAM может значительно увеличить эффективность электронных устройств, от компьютеров до сотовых телефонов и игровых приставок, позволяя хранить информацию большего объема, получать более оперативный доступ к информации и обладать меньшим уровнем энергопотребления, чем современная электронная память.

Кроме того, MRAM сохраняет информацию даже в случае отключения питания, то есть, к примеру, компьютеры могут начать работу в любой момент, не дожидаясь предварительной загрузки программного обеспечения. По словам представителей компаний, коммерческие продукты, основанные на технологии MRAM, могут быть выпущены к 2004 году.

Утверждается, что MRAM сочетает в себе лучшие черты распространенных современных технологий памяти — высокую скорость модулей статической памяти SRAM, большую емкость и низкую стоимость модулей динамической памяти DRAM и энергонезависимость флэш-памяти.

Представители IBM и Infineon утверждают, что наибольшее значение имеет энергонезависимость, и в первую очередь это скажется на ускорении разработки новых типов вычислительных устройств. Такие технологии памяти, как DRAM и SRAM, требуют постоянной подачи питания для сохранения данных; в случае отключения электроэнергии все данные в памяти теряются. Благодаря MRAM компьютеры смогут работать примерно так же, как и другие электронные устройства, например телевизоры и радио, — они будут готовы к работе немедленно после включения питания.

Поскольку MRAM не требует постоянного питания для сохранения доступа к данным, такие системы потребляют меньше энергии, чем современные технологии памяти RAM, продлевая срок службы сотовых телефонов, карманных устройств, мобильных компьютеров и иного оборудования, работающего от батарей.

IBM первой в 1974 году представила миниатюрное устройство, в котором был реализован так называемый «магнитный туннельный переход». В конце концов, адаптировав его для задач хранения информации, в 1998 году корпорация создала реально работающие микросхемы памяти MRAM. В рамках подписанного соглашения функции по выпуску нового класса устройств возьмет на себя Infineon, опираясь на большой опыт в области производства электронных микросхем памяти высокой плотности.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями