Представители NEC сообщили, что инженеры корпорации разработали модуль динамической памяти DRAM (Dynamic Random Access Memory) объемом 4 Гбит. Это самая емкая на сегодняшний день микросхема памяти.

NEC представила свою разработку на Международной конференции по полупроводниковым устройствам, которая проходила в Сан-Франциско в первой декаде февраля. Руководители компании объявили, что опытные партии модулей объемом 4 Гбит, по-видимому, не появятся ранее 2000 года. Примером приложений, в которых предполагается использовать быстродействие и большую емкость новой микросхемы памяти, может служить, например, мультимедиа по запросу.

В настоящее время самым распространенным модулем памяти DRAM является микросхема емкостью 16 Мбит, причем, по словам одного из аналитиков, рынок начинает переходить на использование модулей объемом 64 Мбит. Предполагается, что поставки опытных партий модулей объемом 256 Мбит начнутся в текущем году, за ними последуют модули объемом 1 Гбит, а позднее и 4 Гбит. "Прежде, чем начнется производство модулей DRAM объемом 4 Гбит, должно смениться четыре поколения микросхем, включая то, которое выпускается сегодня, - полагает вице-президент фирмы Semico Research Шерри Гарбер. - В настоящий момент речь идет, скорее, о возможности технической реализации. Эта микросхема будет производиться в следующем десятилетии".

Исследователи NEC использовали КМОП-технологию 0,15 мкм. Этот факт Гарбер назвала "поразительным". По ее словам, в настоящее время микросхемы объемом 16 Мбит изготавляются на основе КМОП-технологии 0,35 мкм, а модули емкостью 64 Мбит будут производиться с использованием КМОП-технологии 0,25 мкм.

Как заявили представители NEC, применение 0,15 мкм КМОП-технологии наряду с новой технологией многоуровневого хранения и другими усовершенствованиями позволило исследователям компании создать микросхему площадью 985,6 мм2. Это соответствует примерно половине размера микросхемы, которую можно создать с помощью традиционной технологии; при этом затраты уменьшаются почти в 10 раз.

Как сообщили представители NEC, новая микросхема обеспечивает скорость передачи данных 1 Гбит/с при частоте 125 МГц.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями