Специалисты Samsung Semiconductor полагают, что смогут продлить жизнь технологии синхронного динамического ОЗУ (SDRAM) до конца 2000 года с помощью нового метода удвоения частоты.

Однако, по мнению разработчиков Intel, переход на запоминающие устройства нового поколения более целесообразен, чем модификация технологии SDRAM. В декабре представители Intel сообщили, что в качестве основной памяти для наборов микросхем компания будет поддерживать Rambus DRAM начиная с 1999 года.

"Мы считаем, что модернизированное SDRAM - это модули памяти, которые, даже и будучи работоспособными, послужат лишь одному поколению ПК, а затем мы вновь вернемся к тому, на чем остановились сейчас, - поясняет Деннис Линхан, директор по связям с производителями памяти Intel. - Мы же предпочитаем сделать шаг вперед".

Сотрудники Samsung рассказали о своих планах по поводу Double-Data Rate SDRAM (SDRAM с удвоенной скоростью обмена данными), или SDRAM II. По их утверждению, к концу текущего года будут разработаны модули SDRAM с частотой шины 100 МГц и скоростью обмена данными 800 Мбайт/с. В течение первой половины будущего года Samsung собирается выпустить устройства SDRAM-II, работающие на скорости 1,6 Гбайт/с и с частотой шины 100 МГц; к 1999 году SDRAM-III будут обмениваться данными на скорости 2,4 Гбайт/с, а частота шины составит 150 МГц.

По словам руководителей Samsung, SDRAM-II отличается рядом преимуществ. Разработчики SDRAM смогут использовать прежние мощности, применявшиеся для тестирования и сборки, а процесс производства материнских плат потребует лишь минимальных изменений.

"Прошлый год был очень трудным для нашей отрасли, поэтому каждый доллар, сэкономленный нами на инфраструктуре, в конечном счете попадет в руки заказчиков", - заявил Боб Эминиан, директор стратегического маркетинга, Samsung Electronics.

Поскольку производителям в любом случае придется вносить в материнские платы какие-то изменения, в Intel предполагают устанавливать на них модули памяти, которые будут выпускаться в течение 3-5 лет.

"За решения, принимаемые производителями относительно памяти, в конечном счете платят пользователи, но делать прогнозы относительно того, какова будет цена, еще слишком рано, - сказал Шерри Гарбер, вице-президент Semico Research. - Повышение цен на память может заставить производителей увеличить стоимость систем или устанавливать в них меньше памяти".

Представители Intel и Samsung заявляют, что их новые виды памяти будут стоить примерно столько же, сколько SDRAM.

Гарбер отметил, что, даже если Samsung сможет продлить жизнь SDRAM, это не значит, что Rambus DRAM не будет применяться вообще.

"Rambus - это очень перспективная технология, которую производители хотят видеть в роли DRAM II, - заметил Гарбер. - Samsung заявляет, что SDRAM II - лучшая альтернатива на период с 1998 по 2001 год, т. е. это оптимальное бизнес-решение, поскольку оно подразумевает эволюционные, а не революционные изменения".

Тестирование модулей SDRAM-II емкостью 64 Мбит начнется в четвертом квартале текущего года.

Web-адрес компании Samsung - http://www.samsung.com/; Intel - http://www.intel.com/.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями