Заставить сам кремний излучать свет практически невозможно, поэтому инженеры обратились к другим полупроводникам — трехкомпонентным составам группы III-V, которые используются в основе светодиодов и лазеров. Поскольку атомная структура таких полупроводников отличается от кремния, совместить его с этими веществами ранее не представлялось возможным. Исследователи преодолели эту трудность, разработав метод выращивания «наноколонн» (их диаметр — менее 950 нм) из арсенида индия-галлия, с помощью химического осаждения из паровой среды при относительно низкой температуре в 400 °C. Такая наноколонна способна при комнатной температуре излучать лазер ближнего инфракрасного диапазона.