Intel объявила, что уже располагает работоспособными опытными образцами пяти процессоров, которые будут выпускаться по 45-нанометровой технологии. Новые транзисторы корпорации имеют в 5,5 раз меньший размер и занимают в 30 раз меньшую площадь поверхности, чем транзисторы десятилетней давности, которые изготавливались с применением самой современной на то время 250-нанометровой технологии. Поэтому многоядерные процессоры семейств Intel Core 2 Duo, Intel Core 2 Quad и Intel Xeon следующего поколения будут состоять из сотен миллионов таких микроскопических элементов.

Благодаря новой технологии производства процессоров не только уменьшатся их физические размеры, но и снизится энергопотребление. Так как новые транзисторы меньше предшественников, для их включения и выключения необходимо меньше электроэнергии, что обеспечивает снижение активного напряжения переключения приблизительно на 30%.  Intel использовала сочетание материалов, которое позволяет значительно сократить токи утечки на транзисторах и повысить их производительность.   

Рост тока утечки через затвор транзистора по мере уменьшения толщины слоя диэлектрика из диоксида кремния является одним из главных технических препятствий на пути следования закону Мура. Для решения этой принципиальной проблемы Intel заменила в диэлектрике затвора диоксид кремния (который используется в микроэлектронике более четырех десятилетий) на тонкий слой high-k -- нового материала на основе гафния. Это позволило на сотни процентов уменьшить силу тока утечки.  

Материал high-k не совместим с традиционными кремниевыми электродами затвора, поэтому вторым ингредиентом рецепта Intel стала разработка электродов с применением новых металлических материалов (состав держится в секрете). Сочетание диэлектрика затвора на основе high-k и металлических электродов, используемых в 45-нанометровой производственной технологии Intel, обеспечивает увеличение силы управляющего тока более чем на 20% и соответствующий рост производительности транзисторов. Кроме того, более чем в пять раз сокращается утечка тока от истока к стоку, благодаря чему снижается энергопотребление транзистора.  

Новые процессоры Intel из поколения 45-нанометровой продукции имеют кодовое наименование Penryn. В стадии разработки находятся более 15 моделей таких процессоров, предназначенных для настольных ПК, мобильных систем, рабочих станций и корпоративных серверов. В двухъядерных процессорах семейства Penryn будет более 400 млн транзисторов, а в четырехъядерных -- свыше 800 млн. При этом увеличится внутренняя тактовая частота процессорных ядер, а объем кэш-памяти составит до 12 Мбайт. В семействе Penryn намечено реализовать 50 новых инструкций Intel SSE4, которые позволят повысить производительность вычислительных систем при работе с мультимедийными приложениями и другими интенсивными нагрузками.  

Очередные инновации в технологии создания транзисторов представители Intel считают технологическим прорывом, который обусловит самые большие изменения в свойствах компьютерных чипов за последние 40 лет. Серийный выпуск продукции на основе 45-нанометровой технологии корпорация начнет во второй половине 2007 года.