RDIMM-модуль памяти объемом 8 Гбайт создан Samsung на базе экологичной технологии Green DDR3 DRAM и отличается более высокой производительностью по сравнению с предыдущими разработками. В нем использована трехмерная технология формирования многоуровневой структуры чипа TSV, которая обеспечивает, по словам разработчика, более эффективную работу памяти и экономит до 40% энергии по сравнению с обычной памятью RDIMM. Технология TSV подразумевает использование в кремниевой плате вертикальных микронных отверстий с медной заливкой. При использовании такого вида соединения вместо традиционного значительно увеличивается скорость передачи данных, кроме того, плотность записи повышается более чем на 50%. На данный момент новый модуль памяти успешно прошел тестирование. Широкое же распространение трехмерной технологии TSV начнется предположительно в 2012 году.