Для этого ими был изготовлен прототип микросхемы из кремниево-германиевого сплава (SiGe), способной работать с тактовой частотой 350 ГГц при комнатной температуре. Затем к процессору была применена методика "разгона": с помощью жидкого гелия он был охлажден до температуры, близкой к абсолютному нулю -- -268°C, после чего рабочую частоту повысили до 0,5 терагерца. В планах - дальнейшее повышение тактовой частоты до 1 ТГц; компьютерные имитации показали, что это осуществимо.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями