Реклама

Память хранит по 2 бит в расчете на транзистор, а каждая микросхема вмещает до 16 Гбайт. Пробные партии модулей памяти, основанных на новой технологии, уже поставляются заказчикам.

О планах по налаживанию выпуска чипов флеш-памяти NAND с пространственной компоновкой в Toshiba объявили в прошлом году, для чего был заключен партнерский договор с SanDisk.

Samsung же — тоже в 2014 году — стала первой, кто пообещал массово производить 3D-чипы флеш-памяти, которую в корейской компании называют V-NAND. В микросхемах Samsung 32 слоя, но ячейки трехуровневые, хранящие по 3 бит в расчете на транзистор. То есть максимальная емкость чипа Samsung такая же, как у 48-слойной микросхемы Toshiba, 16 Гбайт.

Intel и Micron между тем объявили, что планируют выпустить 32-слойную пространственную флеш-память NAND.

С началом серийного производства 3D-чипов NAND станет возможным появление твердотельных накопителей емкостью больше 10 Тбайт, отметил Брайан Шерли, вице-президент по памяти и технологическим решениям Micron.

На базе пространственных чипов флеш-памяти можно будет выпускать платы расширения M.2 емкостью больше 3,5 Тбайт для планшетов старшего класса и сверхлегких ноутбуков. Что касается смартфонов, то новые чипы позволят без увеличения стоимости удвоить или даже утроить их максимальную емкость хранения, которая сейчас из-за ограничений обычной «плоской» NAND не превышает 128 Гбайт.

Как заявляют в Toshiba, 48-слойная память отличается улучшенной надежностью процесса записи и стирания, увеличенной скоростью записи и оптимально подходит как для твердотельных накопителей, так и для других применений.

Новую 48-слойную флеш-память в Toshiba могут выпускать по более старым технологическим процессам. Плоскую NAND в корпорации производят по технологии 15 нм, но дальнейшему уменьшению размеров транзисторов препятствуют ограничения, обусловленные усилением утечки электронов и ростом числа ошибок в данных.

Пространственную же память в Toshiba снова смогут выпускать посредством литографии с разрешающей способностью 30, 40 и даже 50 нанометров, сообщил Скотт Нельсон, старший вице-президент бизнес-подразделения Toshiba по памяти.

Наряду с улучшенной надежностью и производительностью у 3D-памяти Toshiba еще одно преимущество — меньшая стоимость. Чем плотнее память, тем меньше кремния требуется для ее производства. По словам Нельсона, после того как во втором квартале 2016 года начнется серийный выпуск микросхем, можно рассчитывать, что цены на флеш-память уменьшатся.

В Toshiba собираются повысить разрешающую способность литографии, чтобы предложить SSD гораздо большей емкости, чем сейчас, добавил Нельсон.

«Со временем мы планируем разработать процесс производства пространственной памяти NAND на трехуровневых ячейках», — сообщил он.

Серийный выпуск 48-слойных микросхем в Toshiba планируют организовать на новом заводе Fab2, который сейчас строится корпорацией, чтобы удовлетворить растущий спрос на флеш-память. Завершить строительство предполагается в первой половине 2016 года.