Компания Samsung объявила о начале массового производства первой на рынке «системы на кристалле» по техпроцессу 10 нм FinFET. Новый чип имеет транзисторную 3D-структуру. По сравнению с 14-нанометровыми микросхемами удельная эффективность поверхности выросла на 30%, производительность — на 40%, а энергопотребление снизилось на 40%. Микросхемы, изготовленные по 10-нанометровому техпроцессу FinFET первого поколения, появятся в продаже в начале 2017 года. Однако на подходе уже и второе поколение, которое обеспечит очередной скачок в производительности.

Купить номер с этой статьей в PDF