Реклама
Микросхема имеет вертикальную компоновку, выполненную по технологии, которую в Toshiba называют Bit Cost Scaling

 

В Toshiba объявили о разработке первого в отрасли пространственного чипа флеш-памяти, состоящего из 48 слоев.

Микросхема имеет вертикальную компоновку, выполненную по технологии, которую в Toshiba называют Bit Cost Scaling (BiCS). Память хранит по 2 бит в расчете на транзистор, а каждая микросхема вмещает до 16 Гбайт. Пробные партии модулей памяти, основанных на новой технологии, уже поставляются заказчикам.

О планах по налаживанию выпуска чипов флеш-памяти NAND с пространственной компоновкой в Toshiba объявили в прошлом году, для чего был заключен партнерский договор с SanDisk.

Samsung же — тоже в 2014 году — стала первой, кто пообещал массово производить 3D-чипы флеш-памяти, которую в корейской компании называют V-NAND. В микросхемах Samsung 32 слоя, но ячейки трехуровневые, хранящие по 3 бит в расчете на транзистор. То есть максимальная емкость чипа Samsung такая же, как у 48-слойной микросхемы Toshiba, 16 Гбайт.

Intel и Micron между тем объявили, что планируют выпустить 32-слойную пространственную флеш-память NAND.

С началом серийного производства 3D-чипов NAND станет возможным появление твердотельных накопителей емкостью больше 10 Тбайт, отметил Брайан Шерли, вице-президент по памяти и технологическим решениям Micron.

На базе пространственных чипов флеш-памяти можно будет выпускать платы расширения M.2 емкостью больше 3,5 Тбайт для планшетов старшего класса и сверхлегких ноутбуков. Что касается смартфонов, то новые чипы позволят без увеличения стоимости удвоить или даже утроить их максимальную емкость хранения, которая сейчас из-за ограничений обычной «плоской» NAND не превышает 128 Гбайт.

Как заявляют в Toshiba, 48-слойная память отличается улучшенной надежностью процесса записи и стирания, увеличенной скоростью записи и оптимально подходит как для твердотельных накопителей, так и для других применений.

Новую 48-слойную флеш-память в Toshiba могут выпускать по более старым технологическим процессам. Плоскую NAND в корпорации производят по технологии 15 нм, но дальнейшему уменьшению размеров транзисторов препятствуют ограничения, обусловленные усилением утечки электронов и ростом числа ошибок в данных.

Пространственную же память в Toshiba снова смогут выпускать посредством литографии с разрешающей способностью 30, 40 и даже 50 нанометров, сообщил Скотт Нельсон, старший вице-президент бизнес-подразделения Toshiba по памяти.

Наряду с улучшенной надежностью и производительностью у 3D-памяти Toshiba еще одно преимущество — меньшая стоимость. Чем плотнее память, тем меньше кремния требуется для ее производства.

Серийный выпуск 48-слойных микросхем в Toshiba планируют организовать на новом заводе Fab2, который сейчас строится корпорацией, чтобы удовлетворить растущий спрос на флеш-память. Завершить строительство предполагается в первой половине 2016 года.

Купить номер с этой статьей в PDF