В традиционном способе изготовления на подложку наносится только одна пленка арсенида галлия. Процесс требует времени на подготовку и применение сложного оборудования, но ученые поняли, что расходы можно значительно сократить, если наносить на подложку несколько пленок подряд, отделяя их друг от друга прослойками арсенида алюминия. Затем многослойная структура погружается в раствор кислоты и окислителя, где прослойки растворяются, после чего тонкие пленки арсенида галлия можно одну за другой снять и перенести на другую подложку — стеклянную или пластмассовую, которая может быть даже гибкой. Авторы продемонстрировали
применение многослойных структур для изготовления трех типов полупроводниковых устройств на основе арсенида галлия: световых датчиков, скоростных транзисторов и элементов солнечных батарей.